最近パワーエレクトロニクスで注目を浴びているGaNデバイス。スルーレートは10万V/μsと超高速でまた耐圧も有ります。これをリニアで使うとどうなるのかを検証してみました。使ったのは写真1のGaNsystems社のGS61008Pです。スペックは次の通りです。
・GS61008P
・Vds：100V
・ID：90A@25℃
・ONres：7mΩ@25℃
・Vth：1.3V
[写真1]
回路は図1の簡単な自己バイアス式です。ご覧の様に簡単に動きました。写真2は1kHzの正弦波での波形で、写真3は方形波です。写真を撮り忘れましたが、HP8131Aによる超高速方形波でも波形崩れすることなくとても綺麗でした。
